| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IRFHM830TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,200 | 400:$0.64280 800:$0.60710 1,200:$0.56881 2,800:$0.54427 10,000:$0.49817 40,000:$0.48070 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.8 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.35V @ 50µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-VQFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝: | PQFN（3x3） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |