| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 6,000 | 1,000:$2.10000 2,000:$1.99500 5,000:$1.91300 10,000:$1.86000 |
| EPC2007 | EPC | TRANS 100V 30MO BUMPED DIE | 1,610 | 1:$3.15000 10:$2.70000 100:$2.20500 500:$1.71000 |
| EPC2007 | EPC | TRANS 100V 30MO BUMPED DIE | 1,610 | 1:$3.15000 10:$2.70000 100:$2.20500 500:$1.71000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 100 毫歐 @ 3A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.5nC @ 100V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 128pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 模具 |
| 供應商設備封裝: | 模具 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |