| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R6-30BL,118 | NXP Semiconductors | MOSFET N CH 30V 100A D2PAK | 300 | 1:$2.81000 10:$2.53400 25:$2.27000 100:$2.04110 250:$1.81240 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 100A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.9 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.15V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 212nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 12493pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 306W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |