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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SUP60N06-12P-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SUP60N06-12P-E3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SUP60N06-12P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB 273 1:$1.92000
25:$1.55000
100:$1.39500
250:$1.24000
500:$1.08500
1,000:$0.89900
2,500:$0.83700
5,000:$0.80600
10,000:$0.77500
SUP60N06-12P-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 30A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 30V
功率 - 最大: 3.25W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220AB
包裝: 管件
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