| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHG30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | 494 | 1:$6.44000 25:$5.17520 100:$4.71500 250:$4.25500 500:$3.81800 1,000:$3.22000 2,500:$3.05900 5,000:$2.93250 |
| SIHG22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | 463 | 1:$4.48000 25:$3.60000 100:$3.28000 250:$2.96000 500:$2.65600 1,000:$2.24000 2,500:$2.12800 5,000:$2.04000 |
| SIHB22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 0 | 1:$4.14000 25:$3.33000 100:$3.03400 250:$2.73800 500:$2.45680 1,000:$2.07200 2,500:$1.96840 5,000:$1.88700 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 29A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 125 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 250W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-247AC |
| 包裝: | 管件 |