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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR878ADP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR878ADP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK 2,789 1:$2.38000
25:$1.83600
100:$1.66600
250:$1.49600
500:$1.29200
1,000:$1.08800
SIR878ADP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1275pF @ 50V
功率 - 最大: 44.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)
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