| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4636DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 305 | 1:$1.75000 25:$1.35000 100:$1.22500 250:$1.10000 500:$0.95000 1,000:$0.80000 |
| SI4636DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.67500 5,000:$0.65000 12,500:$0.62500 25,000:$0.61250 62,500:$0.60000 |
| SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK | 1,198 | 1:$4.35000 25:$3.55240 100:$3.19000 250:$2.90000 |
| SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK | 1,198 | 1:$4.35000 25:$3.55240 100:$3.19000 250:$2.90000 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 17A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.5 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2635pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 4.4W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |