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分離式半導體產品 SI4434DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI4434DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI4434DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 250V 8-SOIC 5,000 2,500:$1.05333
SI4434DY-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 155 毫歐 @ 3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.56W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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