| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIR804DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC | 3,000 | 3,000:$1.23930 6,000:$1.19340 15,000:$1.14750 30,000:$1.12455 75,000:$1.10160 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.2 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 76nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2450pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |