| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 | 639 | 1:$8.97000 10:$8.12500 25:$7.44800 100:$6.77100 250:$6.09392 500:$5.58608 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 250V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 64A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫歐 @ 64A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |