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分離式半導體產品 SI1469DH-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI1469DH-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6 750 1:$0.70000
25:$0.54400
100:$0.48000
250:$0.41600
500:$0.35200
1,000:$0.28000
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6 0 3,000:$0.23200
6,000:$0.21600
15,000:$0.20800
30,000:$0.20000
75,000:$0.19680
150,000:$0.19200
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SC-70-6 33 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SC-70-6 33 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SC-70-6 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-70-6 529 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-70-6 529 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SC-70-6 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SI1469DH-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 470pF @ 10V
功率 - 最大: 2.78W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: SC-70-6
包裝: 剪切帶 (CT)
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