| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPA65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 450 | 1:$5.21000 10:$4.64900 25:$4.18360 100:$3.81180 250:$3.43988 500:$3.08660 1,000:$2.60316 2,500:$2.47300 5,000:$2.37074 |
| IPP65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 473 | 1:$5.21000 10:$4.64900 25:$4.18360 100:$3.81180 250:$3.43988 500:$3.08660 1,000:$2.60316 2,500:$2.47300 5,000:$2.37074 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 17.5A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫歐 @ 7.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 730µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 34W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 整包 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO220 整包 |
| 包裝: | 管件 |