| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,000 | 1,000:$4.16921 2,000:$4.01479 5,000:$3.86038 10,000:$3.78317 25,000:$3.70596 |
| IPB65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 | 1,585 | 1:$3.39000 10:$2.90200 25:$2.61160 100:$2.36960 250:$2.12784 500:$1.83768 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 31.2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫歐 @ 12.7A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 1.3mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 277.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |