| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V DPAK | 490 | 1:$3.54000 25:$2.89120 100:$2.59600 250:$2.36000 500:$2.06500 1,000:$1.77000 |
| SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V DPAK | 0 | 2,000:$1.56940 6,000:$1.50450 10,000:$1.46320 50,000:$1.41600 |
| IRF9540STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK | 781 | 1:$2.47000 25:$1.90880 100:$1.73220 250:$1.55540 |
| IRF9540STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK | 0 | 800:$1.11353 1,600:$1.02515 2,400:$0.95445 5,600:$0.91910 20,000:$0.88375 40,000:$0.86608 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 96A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.4 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 144nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 136W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | TO-252，（D-Pak） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |