| 元器件型號(hào) | 廠(chǎng)商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI3460DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP | 3,000 | 3,000:$0.13950 6,000:$0.13050 15,000:$0.12150 30,000:$0.11475 75,000:$0.11250 150,000:$0.10800 |
| SUM90N08-6M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK | 2,148 | 1:$2.97000 25:$2.29240 100:$2.08010 250:$1.86780 |
| SUM90N08-6M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK | 800 | 800:$1.35600 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.9A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 28 毫歐 @ 5.1A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 666pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-TSOP |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |