| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | 10,000 | 1:$3.92000 10:$3.52600 25:$3.19960 100:$2.87300 250:$2.61180 500:$2.28532 1,000:$1.95885 2,500:$1.86091 |
| BSB056N10NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | 5,000 | 5,000:$1.66502 10,000:$1.61932 25,000:$1.56708 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 83A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.6 毫歐 @ 30A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5500pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 78W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 3-WDSON |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |