| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | 2,750 | 1:$2.59000 25:$1.99800 100:$1.81300 250:$1.62800 500:$1.40600 1,000:$1.18400 |
| SQJ412EP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.99900 6,000:$0.96200 15,000:$0.92500 30,000:$0.90650 75,000:$0.88800 |
| IRF9540STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK | 781 | 1:$2.47000 25:$1.90880 100:$1.73220 250:$1.55540 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 32A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.5 毫歐 @ 10.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5950pF @ 20V |
| 功率 - 最大: | 83W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |