| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BUZ30A H3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | 1,000 | 1,000:$1.10403 2,000:$1.02789 5,000:$0.98982 10,000:$0.95175 25,000:$0.93272 50,000:$0.91368 |
| BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | 5,000 | 5,000:$1.13997 10,000:$1.09613 25,000:$1.07420 50,000:$1.05228 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 130 毫歐 @ 13.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |