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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPL60R385CP品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPL60R385CP • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPL60R385CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON 3,000 3,000:$1.17005
6,000:$1.12671
15,000:$1.08338
30,000:$1.06171
75,000:$1.04004
IPL60R385CP • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 385 毫歐 @ 5.2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 340µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 790pF @ 100V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-TSFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-VSON-4
包裝: 帶卷 (TR)
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