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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRFHM831TR2PBF品牌、價格、PDF參數(shù)

IRFHM831TR2PBF • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IRFHM831TR2PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A PQFN 2,400 400:$0.54705
800:$0.51668
1,200:$0.48409
2,800:$0.46321
10,000:$0.42398
40,000:$0.40911
IRFHM831TR2PBF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.8 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1050pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PQFN(3x3)
包裝: 帶卷 (TR)
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