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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NP80N06PLG-E1B-AY品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NP80N06PLG-E1B-AY • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NP80N06PLG-E1B-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 1,964 1:$1.52000
10:$1.36000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
NP80N06PLG-E1B-AY • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.3 毫歐 @ 40A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 128nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 剪切帶 (CT)
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