| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSS205N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 | 6,000 | 3,000:$0.09270 6,000:$0.08755 15,000:$0.07983 30,000:$0.07468 75,000:$0.06695 150,000:$0.06438 |
| BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | 9,978 | 1:$1.20000 10:$1.07300 25:$0.94720 100:$0.85240 250:$0.74188 500:$0.66298 1,000:$0.52091 2,500:$0.48934 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 50 毫歐 @ 2.5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.2V @ 11µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 3.2nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 419pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝: | PG-SOT23-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |