| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | 5,000 | 5,000:$0.40033 10,000:$0.38378 25,000:$0.37324 50,000:$0.36120 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 40A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.6 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.9V @ 105µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 57.5nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4785pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 69W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
| 供應商設備封裝: | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |