| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BSS670S2L H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | 7,228 | 1:$0.53000 10:$0.38100 25:$0.30080 100:$0.22860 250:$0.16192 500:$0.12954 1,000:$0.09906 |
| BSD316SN L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 | 5,730 | 1:$0.62000 10:$0.44500 25:$0.35160 100:$0.26700 250:$0.18912 500:$0.15130 1,000:$0.11570 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 540mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 650 毫歐 @ 270mA，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 2.7µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 2.26nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 360mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-SOT23-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |