| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSS306N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | 5,925 | 1:$0.52000 10:$0.36900 25:$0.30520 100:$0.24600 250:$0.17712 500:$0.14268 1,000:$0.11070 |
| BSS306N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | 3,000 | 3,000:$0.08856 6,000:$0.08364 15,000:$0.07626 30,000:$0.07134 75,000:$0.06396 150,000:$0.06150 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 2.3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 57 毫歐 @ 2.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 11µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.5nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 275pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 500mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商設備封裝: | PG-SOT23-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |