| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| FDD86113LZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 | 2,500 | 2,500:$0.51800 5,000:$0.49210 12,500:$0.47360 25,000:$0.45880 62,500:$0.44400 |
| FDD5N50NZFTM | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 500V DPAK | 2,499 | 1:$1.19000 10:$1.05000 25:$0.94760 100:$0.82910 250:$0.72708 500:$0.64484 1,000:$0.50995 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 4.2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 104 毫歐 @ 4.2A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 285pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 3.1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | TO-252-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |