| 元器件型號(hào) | 廠(chǎng)商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| NVD5117PLT4G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK | 5,000 | 2,500:$0.97200 5,000:$0.93600 12,500:$0.90000 25,000:$0.88560 62,500:$0.86400 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 61A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 16 毫歐 @ 29A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 4.1W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | DPAK-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |