| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPI032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 118µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 188W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA |
| 供應商設備封裝: | PG-TO262-3 |
| 包裝: | 管件 |