分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHK12NQ10T,518品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PHK12NQ10T,518 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PHK12NQ10T,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 |
0 |
10,000:$0.61440
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| PHD101NQ03LT,118 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
0 |
10,000:$0.61400
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PHK12NQ10T,518 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
11.6A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
28 毫歐 @ 6A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
35nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1965pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
8.9W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SO
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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