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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SPB80N03S2L-04 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SPB80N03S2L-04 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SPB80N03S2L-04 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 0
SPB80N03S2L-04 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.9 毫歐 @ 80A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 130µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3900pF @ 25V
功率 - 最大: 188W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: P-TO263-3
包裝: 帶卷 (TR)
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