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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQ2361EES-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SQ2361EES-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SQ2361EES-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫歐 @ 2.4A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 545pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3(TO-236)
包裝: 帶卷 (TR)
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