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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD60R750E6品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD60R750E6 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3 3,786 1:$1.42000
10:$1.27400
25:$1.12440
100:$1.01200
250:$0.88080
500:$0.78708
1,000:$0.61842
IPD60R750E6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 2,500 2,500:$0.52472
5,000:$0.49848
12,500:$0.47787
25,000:$0.46475
62,500:$0.44976
IPD60R750E6 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫歐 @ 2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 170µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 373pF @ 100V
功率 - 最大: 48W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: Digi-Reel®
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