| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| BSO080P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | 0 | 2,500:$0.42140 5,000:$0.40033 12,500:$0.38378 25,000:$0.37324 62,500:$0.36120 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 8 毫歐 @ 14.8A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1.9V @ 150µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6750pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 1.6W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |