| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 | 4,878 | 1:$1.68000 10:$1.50600 25:$1.32920 100:$1.19610 250:$1.04104 500:$0.93030 1,000:$0.73095 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 43A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18 毫歐 @ 33A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 33µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1800pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 71W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |