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分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2300DS-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI2300DS-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23 1,801 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
SI2300DS-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 68 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 320pF @ 15V
功率 - 最大: 1.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3(TO-236)
包裝: 剪切帶 (CT)
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