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半導體模塊 APTGT30H60T1G品牌、價格、PDF參數(shù)

APTGT30H60T1G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
APTGT30H60T1G Microsemi Power Products Group IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 0 20:$44.77400
APTGF15H120T1G Microsemi Power Products Group IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 0 20:$45.28950
APTGT150SK60T1G Microsemi Power Products Group IGBT 600V 225A 480W SP1 0 20:$45.50250
APTGT30H60T1G • PDF參數(shù)
類別: 半導體模塊
IGBT 類型: 溝道和場截止
配置: 全橋反相器
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 600V
Vge, Ic時的最大Vce(開): 1.9V @ 15V,30A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 50A
電流 - 集電極截止(最大): 250µA
Vce 時的輸入電容 (Cies): 1.6nF @ 25V
功率 - 最大: 90W
輸入: 標準
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: SP1
供應商設備封裝: SP1
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