| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100 |
| SGB8206ANSL3G | ON Semiconductor | IGBT N-CH 20A 350V D2PAK | 0 | 450:$1.40000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| IGBT 類型: | - |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: | 365V |
| Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）: | 1.8V @ 4.5V，10A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: | 20A |
| 功率 - 最大: | 165W |
| 輸入類型: | 邏輯 |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |