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分離式半導體產品 SIZ710DT-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SIZ710DT-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR 0 3,000:$0.60200
6,000:$0.57190
15,000:$0.54825
30,000:$0.53320
75,000:$0.51600
SIZ710DT-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: 2 N 溝道(雙)共漏
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A,35A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.8 毫歐 @ 19A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 820pF @ 10V
功率 - 最大: 27W,48W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-PowerPair?
供應商設備封裝: 6-PowerPair?
包裝: 帶卷 (TR)
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