| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| FF650R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A | 可訂貨 | 2:￥5,827.19 10:￥5,385.59 |
| FZ800R33KL2C_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1.5KA | 可訂貨 | 2:￥23,287.16 |
| IFS150B12N3T4_B31 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 150A | 可訂貨 | 6:￥2,335.72 10:￥2,158.73 |
| FD600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A | 可訂貨 | 2:￥9,032.31 |
| FD300R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 370A | 可訂貨 | 5:￥1,414.29 10:￥1,307.07 |
| FF900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A | 可訂貨 | 2:￥7,006.19 10:￥6,475.24 |
| FF200R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 1200V 200A DUAL | 可訂貨 | 6:￥1,264.15 10:￥1,168.38 |
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | Dual |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 1700 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 930 A |
| 柵極—射極漏泄電流 | |
| 功率耗散 | |
| 最大工作溫度 | + 150 C |
| 封裝 / 箱體 | PRIME2 |
| 封裝 |