| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| FS100R12PT4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 3 PHASE POWER BRIDGE | 可訂貨 | 3:￥1,553.47 10:￥1,435.75 |
| FB20R06KL4_B1 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 600V 25A | 可訂貨 | 11:￥354.73 |
| FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 300A | 可訂貨 | 5:￥1,414.29 10:￥1,307.07 |
| FS50R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A | 可訂貨 | 6:￥823.79 10:￥761.42 |
| FF401R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 650A | 可訂貨 | 2:￥8,560.55 10:￥7,911.82 |
| FS50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A | 可訂貨 | 5:￥835.80 10:￥772.46 |
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊 |
|---|---|
| 描述: | IGBT 模塊 3 PHASE POWER BRIDGE |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數: | |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產品 | IGBT Silicon Modules |
| 配置 | |
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | |
| 集電極—射極飽和電壓 | |
| 在25 C的連續集電極電流 | |
| 柵極—射極漏泄電流 | |
| 功率耗散 | |
| 最大工作溫度 | |
| 封裝 / 箱體 | |
| 封裝 | Bulk |