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IGBT 模塊 FP7G150US60品牌、價格、PDF參數(shù)

FP7G150US60 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
FP7G150US60 Fairchild Semiconductor IGBT 模塊 Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM 可訂貨
FP7G150US60 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊
描述: IGBT 模塊 Transfer Molded Type IGBT Module PowerSPM
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品 IGBT Silicon Modules
配置 Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
集電極—射極飽和電壓 2.3 V
在25 C的連續(xù)集電極電流 150 A
柵極—射極漏泄電流 100 nA
功率耗散 450 W
最大工作溫度 + 125 C
封裝 / 箱體
封裝
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