IGBT 模塊 FP10R12W1T4品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
FP10R12W1T4 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格(人民幣) |
| FP10R12W1T4 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 20A |
可訂貨 |
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| FZ1200R12KF5 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 IGBT 1200V 1200A |
可訂貨 |
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| BSM100GB120DLC |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 1200V 100A DUAL |
可訂貨 |
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| DZ2400S17K6C_B2 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 1.7KV 2.4KA |
可訂貨 |
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| FZ1800R17KF6C-B2 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 1700V 1800A SINGLE |
可訂貨 |
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| FZ300R12KE3B1G |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 480A |
可訂貨 |
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| FS400R12KF4 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 1200V 400A 6-PACK |
可訂貨 |
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| F4-25R12YT3_B5 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 |
可訂貨 |
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| FF300R12KE3_B2 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 480A |
可訂貨 |
|
| FF800R17KF6C_B4 |
Infineon Technologies |
IGBT 模塊 IGBT 1700V 800A |
可訂貨 |
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FP10R12W1T4 • PDF參數(shù)
| 類別: |
RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊
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| 描述: |
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 20A
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| RoHS: |
否
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| PDF參數(shù): |
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| 制造商 |
Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品 |
IGBT Silicon Modules |
| 配置 |
Array 7 |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO |
1200 V |
| 集電極—射極飽和電壓 |
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| 在25 C的連續(xù)集電極電流 |
20 A |
| 柵極—射極漏泄電流 |
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| 功率耗散 |
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| 最大工作溫度 |
+ 150 C |
| 封裝 / 箱體 |
EASY1B |
| 封裝 |
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