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IGBT 模塊 FMBL1G200US60品牌、價格、PDF參數

FMBL1G200US60 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格(人民幣)
FMBL1G200US60 Fairchild Semiconductor IGBT 模塊 可訂貨
FMC7G20US60 Fairchild Semiconductor IGBT 模塊 可訂貨
FMBL1G200US60 • PDF參數
類別: RF/IF 和 RFID >> IGBT 模塊
描述: IGBT 模塊
RoHS:
PDF參數:
制造商 Fairchild Semiconductor
產品 IGBT Silicon Modules
配置 Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO 600 V
集電極—射極飽和電壓 2.2 V
在25 C的連續集電極電流 200 A
柵極—射極漏泄電流 100 nA
功率耗散 830 W
最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 7PM-BB
封裝
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