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IGBT 晶體管 HGTG30N60B3D_Q品牌、價格、PDF參數

HGTG30N60B3D_Q • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格(人民幣)
HGTG30N60B3D_Q Fairchild Semiconductor IGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel 可訂貨
FPBL15SH60 Fairchild Semiconductor IGBT 晶體管 600V/15A/IPM/NO 可訂貨
HGTG30N60B3D_Q • PDF參數
類別: RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶體管
描述: IGBT 晶體管 600V IGBT UFS N-Channel
RoHS:
PDF參數:
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO 600 V
集電極—射極飽和電壓 1.45 V
柵極/發射極最大電壓 +/- 20 V
在25 C的連續集電極電流 60 A
柵極—射極漏泄電流 +/- 250 nA
功率耗散 208 W
最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 TO-247-3
封裝 Tube
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