工作原理　　

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有npn和pnp兩種結構形式，但使用最多的是硅npn和鍺pnp兩種三極管，（其中，n表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹npn硅管的電流放大原理。 　　對于npn管，它是由2塊n型半導體中間夾著一塊p型半導體所組成，發射區與基區之間形成的pn結稱為發射結,而集電區與基區形成的pn結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。 　　當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而c點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源ec要高于基極電源ebo。 　　在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）極基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。 　　由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源eb重新補給，從而形成了基極電流ibo.根據電流連續性原理得： 　　ie=ib+ic 　　這就是說，在基極補充一個很小的ib，就可以在集電極上得到一個較大的ic，這就是所謂電流放大作用，ic與ib是維持一定的比例關系，即： 　　β1=ic/ib 　　式中：β1--稱為直流放大倍數， 　　集電極電流的變化量△ic與基極電流的變化量△ib之比為： 　　β= △ic/△ib 　　式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。 　　三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。 　　三極管放大時管子內部的工作原理 　　1、發射區向基區發射電子 　　電源ub經過電阻rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。 　　2、基區中電子的擴散與復合 　　電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。 　　3、集電區收集電子 　　由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。