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2SB1256

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2SB1256 技術參數
  • 2SB12520Q 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2.5V @ 4mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):5000 @ 4A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220F-A1 標準包裝:100 2SB1243TV2R 功能描述:TRANS PNP 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SB1243TV2Q 功能描述:TRANS PNP 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SB1243TV2P 功能描述:TRANS PNP 50V 3A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:70MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SB1241TV2R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:1 2SB12990P 2SB1302S-TD-E 2SB1302T-TD-E 2SB1308T100P 2SB1308T100Q 2SB1308T100R 2SB1316TL 2SB1320A0A 2SB1321A0A 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R
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