欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 >

ECJ2FB1A335M

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

ECJ2FB1A335M
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
Panasonic
SMD
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

ECJ2FB1A335M
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
3000
Panasonic
SMD
05+
-
現(xiàn)貨特價(jià)CXW

1/1頁 40條/頁共4條
1

您是不是要找： ECJ-2FB1A475K ECJ-2FB1A684K ECJ-2FB1C105K ECJ-2FB1C225K ECJ-2FB1C334K ECJ-2FB1C474K ECJ-2FB1C475K ECJ-2FB1C684K ECJ-2FB1E105K

ECJ2FB1A335M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

ECJ2FB1A335M 技術(shù)參數(shù)

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效類型:絕緣體形狀:圓形使用:電容器，電解材料:聚酯顏色:透明特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm）直徑 - 外部:0.831"（21.10mm）直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECJ-2FB1E154K ECJ-2FB1E224K ECJ-2FB1E225K ECJ-2FB1E475M ECJ-2FB1H104K ECJ-2FB1H473K ECJ-2FB1H563K ECJ-2FB1H683K ECJ-2FB1H823K ECJ-2FB2A153K ECJ-2FB2D103K ECJ-2FB2D682K ECJ-2FC2D101J ECJ-2FC2D151J ECJ-2FC2D221J ECJ-2FC2D331J ECJ-2FC2D680J ECJ-2FF0J106Z