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ECJ3FB1E474

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封裝
批號
價格
說明
操作

ECJ3FB1E474K
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
6500
PANASONIC
原廠原裝
1701+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

ECJ3FB1E474
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2900
panasonic
ROHS
1315+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

ECJ3FB1E474
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2850
panasonic
SMD
201333
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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您是不是要找： ECJ-3FB1E474K ECJ-3FB2A223K ECJ-3FB2A333K ECJ-3FB2A473K ECJ-3FB2D153K ECJ-3FB2D223K ECJ-3FB2J102K ECJ-3FB2J103K ECJ-3FB2J222K

ECJ3FB1E474 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ECJ3FB1E474 技術參數

ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態:有效類型:絕緣體形狀:圓形使用:電容器，電解材料:聚酯顏色:透明特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm）直徑 - 外部:0.831"（21.10mm）直徑 - 內部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-3FB2J472K ECJ-3FC1H103J ECJ-3FC1H822J ECJ-3FC2D102J ECJ-3FC2D471J ECJ-3FC2D681J ECJ-3FF1C475Z ECJ-3FF1E105Z ECJ-3FF1E225Z ECJ-3FF1E475Z ECJ-3FF1H105Z ECJ-3VB1C104K ECJ-3VB1C124K ECJ-3VB1C154K ECJ-3VB1C184K ECJ-3VB1C224K ECJ-3VB1C274K ECJ-3VB1C334K