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EP4SE530H40C2ENES

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    深圳市佳斯泰科技有限公司

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EP4SE530H40C2ENES 技術參數
  • EP4SE530H40C2 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 976 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 EP4SE530H35I4N 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 EP4SE530H35I4 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 EP4SE530H35I3N 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 EP4SE530H35I3 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix IV E 21248 LABs 744 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 EP4SE530H40C4N EP4SE530H40C4NES EP4SE530H40I3 EP4SE530H40I3N EP4SE530H40I4 EP4SE530H40I4N EP4SE820F43C3 EP4SE820F43C3N EP4SE820F43C4 EP4SE820F43C4N EP4SE820F43I3 EP4SE820F43I3N EP4SE820F43I4 EP4SE820F43I4N EP4SE820H35C3 EP4SE820H35C3N EP4SE820H35C4 EP4SE820H35C4N
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