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EPC22C-20

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說明
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EPC22C-20
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ALTERA
PLCC-20
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！

EPC22C-20
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
85
ALTERA
PLCC-20
2012+
-
只做原裝正品。

EPC22C-20
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ALTERA
PLCC-20
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

EPC22C-20
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
ALTERA
PLCC-20
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

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EPC22C-20 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

EPC22C-20 技術參數

EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）標準包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR